IR2103STRPBF现货参数应用及PDF资料下载

IR2013(S)是一款高电压☻高速功率MOSFET和IGBT驱动器Τ具有独立高Ο低压侧参考输出通道←逻辑输入与标准CMOS或LSTTL输出兼容➧低至3.0V逻辑✤输出驱动器具有一个高脉冲电流缓冲级Θ用于最小驱动器交叉传导♓浮动沟道可用于驱动高侧配置的N沟道功率MOSFET或IGBT⇧其工作电压高达600V�

IR2103STRPBF特性
为引导操作设计的浮动通道
工作电压高达600V
耐受负瞬态电压
dV/dt免疫
栅极驱动电源范围10~20V
欠压锁定
3.3V𘠃V和15V逻辑兼容
交叉传导预防逻辑
相互匹配可控的延迟时间
内部设定死区时间
高压侧输出与HIN输入同相
低电平输出与LIN输入异相

IR2103STRPBF应用
转换器
直流电机驱动

IR2103STRPBF基本参数
制造商:Infineon
产品种类:门驱动器
类型:High Side, Low Side
安装风格:SMD/SMT
封装/箱体:SOIC-8
激励器数量:2 Driver
输出端数量:2 Output
输出电流:360 mA
电源电压-最小:10 V
电源电压-最大:20 V
上升时间:170 ns
下降时间:90 ns
工作温度范围:- 40℃~+125℃
尺寸:1.5mm×5mm×4mm
逻辑类型:CMOS, TTL
传播延迟-最大值:60 ns
最大关闭延迟时间:220 ns
最大开启延迟时间:820 ns
Pd-功率耗散:625 mW
产品类型:Gate Drivers
单位重量:540 mg

IR2103STRPBF静电特性


IR2103STRPBF详细应用信息



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