N沟道增强型110A/200V MOSFET

欧皮思技术110N20A47是110A200V硅N沟道增强型VDMOSFET⇦采用先进的沟槽技术✿可以降低导通损耗✢改善开关性能Β提高雪崩能量♞该晶体管可用于各种功率开关电路♙使系统小型化▼效率更高⇟包装形式为TO-247♋符合RoHS标准☯

110N20A47
快速开关
低栅极电荷和低导通电阻
低反向传输电容
100%单脉冲雪崩能量测试

110N20A47应用:
电源开关电路
工业电源
通信电源

N沟道增强型110A/200V MOSFET绝对值参数


N沟道增强型110A/200V MOSFET电参数


N沟道增强型110A/200V MOSFET特性曲线图



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