N沟道增强型90A/250V MOSFET

欧皮思技术90N25AN是采用自对准平面技术的硅N沟道增强型VDMOSFET↕它可以降低导通损耗↯改善开关性能⅛提高雪崩能量➤该晶体管可用于各种功率开关电路↟使系统小型化➸效率更高Κ包装形式为TO-3P↵符合RoHS标准◈

90N25AN
快速开关
低导通电阻
低栅极电荷
低反向传输电容
100%单脉冲雪崩能量测试

90N25AN应用:
电源开关电路
工业电源
通信电源

N沟道增强型90A/250V MOSFET绝对值参数


N沟道增强型90A/250V MOSFET电参数


N沟道增强型90A/250V MOSFET特性曲线图



欧皮思技术MOSFET采用台湾芯片及先进的工艺技术封装♛为您提供优质⅜高效的产品♗和国外产品相比Ψ我司的该款产品具有高品质↟货期短♝性价比高等优点☢更多相关产品资料请联系我司客服⇣我们期待您的咨询与!


上一篇:上一篇:N沟道增强型69A/250V MOSFET

本页的访客还看了以下文章