N沟道增强型69A/250V MOSFET

欧皮思技术69N25A47是采用自对准平面技术的硅N沟道增强型VDMOSFET❋它可以降低导通损耗✹改善开关性能<提高雪崩能量Π该晶体管可用于各种功率开关电路Β使系统小型化⇧效率更高⅝包装形式为TO-247Γ符合RoHS标准Ε

69N25A47
快速开关
低导通电阻(≤41mΩ)
低栅极电荷 (150nC)
低反向传输电容(290pF)
100%单脉冲雪崩能量测试

69N25A47应用:
电源开关电路
工业电源
通信电源

N沟道增强型69A/250V MOSFET绝对值参数


N沟道增强型69A/250V MOSFET电参数


N沟道增强型69A/250V MOSFET特性曲线图




欧皮思技术MOSFET采用台湾芯片及先进的工艺技术封装✲为您提供优质❈高效的产品☥和国外产品相比✂我司的该款产品具有高品质☏货期短⇧性价比高等优点Χ更多相关产品资料请联系我司客服Κ我们期待您的咨询与!


上一篇:上一篇:N沟道增强型18A/200V MOSFET

本页的访客还看了以下文章