N沟道增强型18A/200V MOSFET

欧皮思技术18N20A4是采用自对准平面技术的硅N沟道增强型VDMOSFETΑ它可以降低导通损耗Θ改善开关性能✳提高雪崩能量♍该晶体管可用于各种功率开关电路Ξ使系统小型化❁效率更高☕包装形式为TO-252➤符合RoHS标准↔

18N20A4
快速开关
低导通电阻(Rdson≤0.12Ω)
低栅极电荷(24nC)
低反向传输电容(25pF)
100%单脉冲雪崩能量测试

18N20A4应用:
逆变器
去频闪
通信电源
PC电源开关电路

N沟道增强型18A/200V MOSFET绝对值参数


N沟道增强型18A/200V MOSFET电参数


N沟道增强型18A/200V MOSFET特性曲线图



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