N沟道增强型24A/1000V MOSFET

欧皮思技术24N100A47是采用自对准平面技术的硅N沟道增强型高压MOSFET⇠可降低导通损耗☆改善开关性能☂提高雪崩能量⇄该晶体管可用于各种功率开关电路✄使系统小型化♘效率更高♋包装形式为TO-247Ο符合RoHS标准♗

24N100A47
快速开关
低导通电阻
低栅极电荷
低反向传输电容
100%单脉冲雪崩能量测试

24N100A47应用:
智能电表
充电桩
高频工业电源

N沟道增强型24A/1000V MOSFET绝对值参数


N沟道增强型24A/1000V MOSFET电参数


N沟道增强型24A/1000V MOSFET特性曲线



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