N沟道增强型6A/1700V高压MOSFET

欧皮思6N170AHF♘硅N沟道增强型6A/1700V高压MOSFET❅采用自对准平面技术♋具有开关速度高↠功耗低⇅热稳定性好♛工艺简单等特点↶可用于各种功率开关电路Υ开关电源⇣驱动马达↵家用电器等领域➠使系统小型化½效率更高✻包装形式为TO-3PH☸符合RoHS标准♉

6N170AHF
快速切换
低导通电阻
门控电荷低Ι开关损耗小
快恢复体二极管
100%单脉冲雪崩能量试验

6N170AHF应用:
适配器
充电器
SMPS备用电源

6N170AHF绝对值参数


N沟道增强型6A/1700V高压MOSFET参数


N沟道增强型6A/1700V高压MOSFET特性曲线图


功率MOSFET驱动电路
功率MOSFET是电压型驱动器件Δ没有少数载流子的存贮效应♙输入阻抗高Β因而开关速度可以很高↻驱动功率小✆电路简单▣但功率MOSFET的极间电容较大�输入电容CISS♯输出电容COSS和反馈电容CRSS与极间电容的关系可表述为:
功率MOSFET的栅极输入端相当于一个容性网络➼它的工作速度与驱动源内阻抗有关✦由于 CISS的存在♞静态时栅极驱动电流几乎为零☂但在开通和关断动态过程中Ν仍需要一定的驱动电流➜假定开关管饱和导通需要的栅极电压值为VGS↣开关管的 开通时间TON包括开通延迟时间TD和上升时间TR两部分�
开关管关断过程中☃CISS通过ROFF放电♛COSS由RL充电↣COSS较大♈VDS✞T❄上升较慢♩随着VDS☘T½上升较慢✡随着VDS♕T☩的升高COSS迅速减小至接近于零时✮VDS�T✭再迅速上升◈
根据以上对功率MOSFET特性的分析◆其驱动通常要求:触发脉冲要具有足够快的上升和下降速度;②开通时以低电阻力栅极电容充电↵关断时为栅极提供低 电阻放电回路‰以提高功率MOSFET的开关速度;③为了使功率MOSFET可靠触发导通➵触发脉冲电压应高于管子的开启电压Ι为了防止误导通Μ在其截止 时应提供负的栅源电压;④功率开关管开关时所需驱动电流为栅极电容的充放电电流Ι功率管极间电容越大☮所需电流越大⇜即带负载能力越大⚓


欧皮思技术MOSFET采用台湾芯片及先进的工艺技术封装♉为您提供优质↯高效的产品☃和国外产品相比☂我司的该款产品具有货期短♋性价比高等优点Χ更多相关产品资料请联系我司客服Τ我们期待您的咨询与!


上一篇:上一篇:N沟道增强型3A/1700V高压MOSFET

本页的访客还看了以下文章