N沟道增强型3A/1700V高压MOSFET

欧皮思3N170FA9Α硅N沟道增强型3A/1700V高压MOSFET✦采用自对准平面技术Ν降低导通损耗☻改善开关性能↔提高雪崩能量❄具有开关速度高❆功耗低✦热稳定性好✉工艺简单等特点→该MOSFET管可用于各种功率开关电路❄开关电源↑驱动马达↺家用电器等领域⅓使系统小型化➨效率更高➼包装形式为TO-220FΡ符合RoHS标准♖

3N170FA9
快速切换
低导通电阻
门控电荷低↫开关损耗小
快恢复体二极管
100%单脉冲雪崩能量试验

3N170FA9应用:
适配器
充电器
SMPS备用电源

3N170FA9绝对值参数


N沟道增强型3A/1700V高压MOSFET参数


N沟道增强型3A/1700V高压MOSFET特性曲线图


使用MOSFET注意事项
MOSFET在关断瞬间☸会承受到最大的电压冲击Ρ这个最大电压跟负载有很大关系:如果是阻性负载❄那就是来自VCC端的电压✶但还需要考虑电源本身的质量➨如果电源质量不佳☠需要在前级加些必要的保护措施;如果是感性负载↶那承受的电压会大不少Υ因为电感在关断瞬间会产生感生电动势☤电磁感应定律☢♻其方向与VCC方向相同✸楞次定律◆☎承受的最大电压为VCC与感生电动势之和;如果是变压器负载的话✚在感性负载基础上还需要再加上漏感引起的感应电动势☠


欧皮思技术MOSFET采用台湾芯片及先进的工艺技术封装➳为您提供优质↷高效的产品➦和国外产品相比☆我司的该款产品具有货期短♭性价比高等优点♬更多相关产品资料请联系我司客服♟我们期待您的咨询与!


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