N沟道6A/1500V高压增强型MOSFET

欧皮思6N150AHF➺硅N沟道6A/1500V高压增强型MOSFET♓采用自对准平面技术¾降低了导通损耗⇝改善了开关性能✣提高了雪崩能量◄该晶体管可用于各种功率开关电路➞使系统小型化☃效率更高♻包装形式为TO-3PH✝符合RoHS标准➤

6N150AHF
快速切换
低导通电阻
门控电荷低☘开关损耗小
快恢复体二极管
100%单脉冲雪崩能量试验

6N150AHF应用:
适配器
充电器
SMPS备用电源

6N150AHF绝对值参数


N沟道6A/1500V高压增强型MOSFET参数


N沟道6A/1500V高压增强型MOSFET特性曲线图


MOSFET的TO封装形式
不同的封装形式☯MOS管对应的极限电流↺电压和散热效果都会不一样☸简单介绍如下☹
TO-3P/3PH/247:是中高压Σ大电流MOS管常用的封装形式▼产品具有耐压高❀抗击穿能利特等特点✺适于中压大电流♋电流10A以上⅛耐压值在100V以下♖在120A以上Λ耐压值200V以上的场所中使用✹
TO-220/220F:这两种封装样式的MOS管外观差不多�可以互换使用➜不过TO-220背部有散热片↕其散热效果比TO-220F要好些✽价格相对也要贵些⇜这两个封装产品适于中压大电流120A以下✈高压大电流20A以下的场合应用↺
TO-251:该封装产品主要是为了降低成本和缩小产品体积➠主要应用于中压大电流60A以下♪高压7N以下环境中❋
TO-263:是TO-220的一个变种✶主要是为了提高生产效率和散热而设计➤支持极高的电流和电压↕在150A以下󷳶V以上的中压大电流MOS管中较为多见♊
TO-252:是目前主流封装之一❄适用于高压在7N以下Ξ中压在70A以下环境中☀


欧皮思技术MOSFET采用台湾芯片及先进的工艺技术封装❦为您提供优质♗高效的产品◈和国外产品相比▲我司的该款产品具有货期短>性价比高等优点✚更多相关产品资料请联系我司客服✮我们期待您的咨询与!


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